Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightUV-Vis analizi sonuçları, Al-katkı maddesine bağlı olarak üretilen ince filmlerin yasak enerji aralığı değerleri azalmış, soğurma kenarının keskinleştiği ve soğurma yoğunluğunun arttığı gözlendi.
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
Bu çalışmada, farklı konsantrasyonlarda saf ZnO (Çinko Oksit) ve Al-katkılı ZnO ince filmler, ITO tabanı üzerine SILAR yöntemi ile başarıyla büyütüldü. Üretilen ince filmler SEM/EDS, XRD ve UV-Vis spektroskopisi ile karakterize edilmiştir. XRD analizi sonuçlarına göre, üretilen ince filmlerin nanometre ölçeğinde kristalleştiği ve kristalleşme kalitesinin Al-katkı konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiği gözlendi. SEM/EDS analizi sonuçları, Al-katkılı ZnO ince filmlerin morfolojisi üzerinde etkilemiş olup nano-kök yapılar oluşturulmuştur. UV-Vis analizi sonuçları, Al-katkı maddesine bağlı olarak üretilen ince filmlerin yasak enerji aralığı değerleri azalmış, soğurma kenarının keskinleştiği ve soğurma yoğunluğunun arttığı gözlendi.
Abstract
In this study, pure ZnO and Al-doped ZnO thin films at different concentrations were successfully grown on an ITO substrate using the SILAR method. The produced thin films were characterized by SEM/EDS, XRD, and UV-Vis spectroscopy. According to the XRD analysis results, it was observed that the produced thin films crystallized on a nanometer scale, and the crystallization quality varied depending on the concentration of Al doping. SEM/EDS analysis results indicated that Al-doped ZnO thin films affected the morphology, forming nano-root structures. UV-Vis analysis results showed that the band gap values of the thin films produced varied depending on the Al dopant, with decreased values, sharper absorption edges, and increased absorption intensities.