Dergiler / Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi / 2012 / Cilt: 27 Sayı: 3

UZUN DALGABOYLU VE KONİK YAPILI YARIİLETKEN LAZERLERİN ÜRETİMİ, DENEYSEL VE TEORİK OLARAK İNCELENMESİ

Sayfa
—
Yayın Tarihi
2013-02-19
DOI
—
🏛️Bu makalenin bibliyografik verileri ve tam metin bağlantısı DergiPark üzerinden sağlanmıştır.
DergiPark Kaydı ↗
✨

Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar

AI Insight
⚡ TL;DR(1 Cümlede Hızlı Çıkarım)

Elde edilen modelleme sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu gözlemlenmiştir.

📌 3 Maddede Bu Makale

🎯
Amaç & Hipotez:Bu çalışmada, 1300 nm ve 1550 nm’de çalışan yarıiletken lazerlerin fabrikasyonu ile ışık çıkışı-akım (P-I) veboylamsal mod spektrumunu içeren karakterizasyon ölçüm sonuçları sunulmaktadır.
📊
Temel Bulgular & Veri:Ayrıca lazer orandenklemleri kullanılarak lazerin P-I karakteristiğinin ve boylamsal mod spektrumunun modelleme sonuçları daelde edilmiştir.
💡
Sonuç & Katkı:Elde edilen modelleme sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu gözlemlenmiştir.
🔬Tür:Modelleme & Sayısal Simülasyon
📍Kapsam:Genişletilmiş Akademik Örneklem
⚙️Değişkenler:Yarıiletken Lazerler · Fabrikasyon · Karakterizasyon Ölçümleri

Özet

Bu çalışmada, 1300 nm ve 1550 nm’de çalışan yarıiletken lazerlerin fabrikasyonu ile ışık çıkışı-akım (P-I) veboylamsal mod spektrumunu içeren karakterizasyon ölçüm sonuçları sunulmaktadır. Ayrıca lazer orandenklemleri kullanılarak lazerin P-I karakteristiğinin ve boylamsal mod spektrumunun modelleme sonuçları daelde edilmiştir. Elde edilen modelleme sonuçlarının deneysel sonuçlarla uyumlu olduğu gözlemlenmiştir. Her ikilazer türü için gerçekleştirilen çalışmalarda eşik akımı 30 mA ölçülürken, bu değer modellemede 27 mA olarakelde edilmiştir. Ayrıca lazer kavite uzunluğunun artışı ile kayıpların artışından dolayı eşik akımının da arttığıgözlemlenmiştir. Buna ilave olarak ölçülen optik spektrumun merkezi dalgaboyları tasarım değerlerine yakınelde edilmiştir. Son olarak, 1300 ve 1550 nm lazerlerin 3-dB spektral genişlikleri deneysel olarak ve modellemeile bulunmuştur. 3-dB spektral genişlik bakımından ölçüm ile simülasyon arasındaki fark 1550 nm lazerlerde 1.6nm iken, bu değer 1300 nm lazerlerde 10 nm olarak elde edilmiştir. 1550 nm lazerler için elde edilen bu farkdiğerine göre çok daha düşük olduğundan 1550 nm lazerlerin 1300 nm lazerlere göre daha kararlı bir spektraldeğişime sahip oldukları sonucuna varılmıştır.

🔖

Bu Makaleye Atıf Yap

Çakmak, B., Duman, Ç. (2013). UZUN DALGABOYLU VE KONİK YAPILI YARIİLETKEN LAZERLERİN ÜRETİMİ, DENEYSEL VE TEORİK OLARAK İNCELENMESİ. Gazi Üniversitesi Mühendislik Mimarlık Fakültesi Dergisi, Cilt: 27 Sayı: 3. https://ajindex.com/articles/1078395

📄 Tam Metin PDF Okuyucu

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

Kaynakça (101)

  1. Salehi, M.R. ve Cabon B., "Circuit Modeling of
  2. Quantum-Well Lasers for Optoelectronic
  3. Integrated Circuits (ICs) Including Physical
  4. Effect of Deep-Level Traps", IEEE Journal of
  5. Quantum Electronics, Cilt 38, No 11, 1510-, 2002.
  6. http://www.sans.org/reading_room/whitepapers/p
  7. hyscial/fiber-optics-securityvulnerabilities_
  8. Agrawal, G.P. ve Dutta, N.K., Semiconductor
  9. Lasers, Van Nostrand Reinhold, New York,
  10. A.B.D., 1993.
  11. Alam, M.A., Hybertsen, M.S., Smith, R.K. ve
  12. Baraff G.A., "Simulation of Semiconductor
  13. Quantum Well Lasers", IEEE Transactions on
  14. Electron Devices, Cilt 47, No 10, 1917-1925,
  15. Piskorski, L., Sarzala, R.P. ve Nakwaski, W.,
  16. “Investigation of Temperature Characteristics of
  17. Modern InAsP/InGaAsP Multi-quantum-well TJVCSELs
  18. for Optical Fibre Communication”,
  19. Opto-Electronics Review, Cilt 19, No 3, 320-, 2011.
  20. Yıldırım, R. ve Celebi, F., “Harmonic Amplitude
  21. Control in Laser Diodes with Non-linear
  22. Feedback, Journal of the Faculty of
  23. Engineering and Architecture of Gazi
  24. University, Cilt 25, No 1, 163-170, 2010.
  25. Lin, Zr., Liu, Ck., Keiser, G., Lee, Sl., Lai, Kc.,
  26. Chang, Hc., Tseng, Cl., Jou, Jj., “A Low-Cost
  27. Passive Optical Network For Television
  28. Broadcasting and High-Speed Bidirectional
  29. Communications in Intelligent Buildings”,
  30. Journal of the Chinese Institute of Engineers,
  31. Cilt 33, No 5, 707-716, 2010.
  32. Ab-Rahman, M.S., Hassan, M.R, “Theory of Cut-
  33. Off Temperature of Operation Of Uncooled
  34. Semiconductor Laser Diode, European Physical
  35. Journal-Applied Physics, Cilt 50, No 2, 2010.
  36. Yoshino, M., Miki, N., Yoshimoto, N.,
  37. Kumozaki, K., “Multiwavelength Optical Source
  38. for OCDM Using Sinusoidally Modulated Laser
  39. Diode”, Journal of Lightwave Technology, Cilt, No 20, 4524-4529, 2009.
  40. Tsai, Cl., Chou, Yl., Wang, Y.S., Chang, S.J.,
  41. Wu, M.C. ve Lin, W., “ 1.3 μm Straincompensated
  42. InGaAsP Planar Buried
  43. Heterostructure Laser Diodes with a TO-Can
  44. Package for Optical Fiber Communications”,
  45. Journal of The Electrochemical Society, Cilt, No 12, H903-H907, 2009.
  46. Das, B.A., Sengupta, I. ve Basu, P., "A Simple
  47. Spice Model for Traveling Wave Semiconductor
  48. Laser Amplifier", Microwave and Optical
  49. Technology Letters, Cilt 46, No 7, 1558-1561,
  50. Agrawal, G.P., "Power Spectrum of Directly
  51. Modulated Single-Mode Semiconductor Lasers:
  52. Chirp Induced Fine Structure", IEEE Journal of
  53. Quantum Electronics, Cilt 21, No 6, 680-686,
  54. Morishita, M., Ohmi, A. ve Nishizawa, J.,
  55. "Impedance Characteristics of Double
  56. Heterostructure Laser Diodes", Solid State
  57. Electronics, Cilt 22, No 11, 957-962, 1979.
  58. Lee, T.P., Burrus, C.A., Copeland, J.A., Dentai,
  59. A.G. ve Marcuse, D., "Short Cavity InGaAsP
  60. Injection Lasers: Dependence of Mode Spectra
  61. and Single Longitudinal Mode Power on Cavity
  62. Length", IEEE Journal of Quantum
  63. Electronics, Cilt 18, No 7, 1101-1112, 1982.
  64. Byrne, D.M. ve Keating, B.A., "A Laser Diode
  65. Model Based on Temperature Dependent Rate
  66. Equations", IEEE Photonics Technology
  67. Letters, Cilt 1, No 11, 356 359, 1989.
  68. Krstic M.M., Crnjanski J.V. ve Gvozdic D.M.,
  69. “Injection Power and Detuning Dependent
  70. Bistability in Fabry-Perot Laser Diodes”, IEEE
  71. Journal of Selected Topics in Quantum
  72. Electronics, Cilt 18, No 11, 826-833 2012.
  73. Alahyarizadeh G.H., Aghajani H., Mahmodi H.,
  74. Rahmani R. ve Hassan Z., “Analytical And
  75. Visual Modeling of InGaN/GaN Single Quantum
  76. Well Laser Based on Rate Equations”, Optics
  77. and Laser Technology, Cilt 44, No 1, 12-20,
  78. Wang X. ve Chrostowski L., “High-Speed QModulation
  79. of Injection-Locked Semiconductor
  80. Lasers”, IEEE Photonics Journal, Cilt 3, No 5,
  81. Schetzena M. ve Yildirim R., “System Theory of
  82. the Single-Mode Laser-Diode”, Optics
  83. Communications, Cilt: 219, No 1-6, 341–350,
  84. Hassine L., Toffano Z., Lamnabhilagarrigue F.,
  85. Destrez A. Ve Birocheau C., “Volterra Functional
  86. Series Expansions For Semiconductor Lasers
  87. under Modulation”, IEEE Journal of Quantum
  88. Electronics, Cilt 30, No 4, 918-928, 1994.
  89. Tucker R.S., “High Speed Modulation of
  90. Semiconductor Lasers”, Journal of Lightwave
  91. Technology, Cilt: 3, No 6, 1180-1192, 1985.
  92. Olshansky R., Hill P., Lanzisera V. ve Powazinik
  93. W., “Universal Relationship Between Resonant-
  94. Frequency and Damping Rate of 1.3 μm
  95. InGaAsP Semiconductor Lasers”, Applied
  96. Physics Letters, Cilt 50, No 11, 653-655, 1987.
  97. Loyo-Moldonado, V. Mcdougall, S. D., Marsh, J.H.,
  98. Aitchison, J.S., Button, C.C., “Demonstration of
  99. passsive Q-switching in multiquantum well
  100. InGaAs/AlGaInAs diode laser”, Electronics Letters,
  101. Cilt 36, No 11, 952-953, 2000.