Yapay Zeka Hızlı Bakış & Çıkarımlar
AI InsightYarı iletken optik yükselteç besleme akımına bağlı olarak darbe şeklinin iki farklı rejime geçtiği gözlemlenmiştir. 60 mA’de üçlü darbe elde edilirken, 150 ve 180 mA’de ikili Gauss darbe üretilmiştir.
📌 3 Maddede Bu Makale
Özet
Bu çalışmada, fotonik devrelerle elde edilen ultra geniş bant sistemin S, C, L fiber dalga boylarında farklı yarı iletken optik yükselteç besleme akımı değerlerinin sistem performansına etkisi incelenmiştir. S, C, L dalga boylarında yarı iletken optik yükselteç besleme akımı 60, 150, 180 mA iken maksimum kalite faktörü değişimi, bit hata oranı, darbe şekli analiz edilmiştir. En yüksek kalite faktörü değeri ve en düşük bit hata oranı L bandında 180 mA durumunda elde edilmiştir. Yarı iletken optik yükselteç besleme akımına bağlı olarak darbe şeklinin iki farklı rejime geçtiği gözlemlenmiştir. 60 mA’de üçlü darbe elde edilirken, 150 ve 180 mA’de ikili Gauss darbe üretilmiştir. Frekans analizinde Federal Haberleşmeler Komisyonu maskesiyle yüksek oranda uyumluluk sağlanmıştır. Kalite faktörü, bit hata oranı, zaman ve frekans analizleri sonucunda L bandında nispeten daha iyi başarımlar elde edilmiştir. Elde edilen bulgular, L-bandında çoğunlukla daha iyi performans sağlandığını ve yarı iletken optik yükselteçlerin (Semiconductor Optical Amplifier, SOA) besleme akımının yalnızca sistem performansını değil, aynı zamanda ultra geniş bant (Ultrawideband, UWB) darbe şeklini de doğrudan belirlediğini ortaya koyarak, üçlü Gauss darbe üretimiyle özgün katkı sunulduğunu göstermektedir.
Abstract
This study investigates the effect of different semiconductor optical amplifier supply current values on the performance of an ultrawideband system obtained with photonic circuits at S, C, and L fiber wavelengths. The maximum quality factor variation, bit error rate, and pulse shape were analyzed at semiconductor optical amplifier supply currents of 60, 150, and 180 mA for S, C, and L wavelengths. The highest quality factor and the lowest bit error rate were obtained in the L band at 180 mA. It was observed that the pulse shape changed into two different regimes depending on the semiconductor optical amplifier supply current. A triple pulse was obtained at 60 mA, while a double Gaussian pulse was generated at 150 and 180 mA. Frequency analysis demonstrated high compatibility with the Federal Communications Commission mask. The quality factor, bit error rate, time, and frequency analyses revealed relatively better performance in the L band. The findings reveal that better performance is mostly achieved in the L-band, and that the Semiconductor Optical Amplifier (SOA) supply current directly determines not only the system performance but also the Ultrawideband (UWB) pulse shape, demonstrating a unique contribution through triple Gaussian pulse generation.