Journals / Journal of Scientific Reports-A / 2015 / Sayı: 2015 Özel Sayısı
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF Ag/TiO2/n-InP SCHOTTKY BARRIER DIODE
- Pages
- 39–44
- DOI
- —
Abstract
Current-voltage (I-V) characteristics of Ag/TiO2/n-InP Schottky barrier diodes have been investigated in the temperature range 300-400 K . Here TiO2 film with 120 Å thickness has been used as interfacial layer between metal and semiconductor layers. The zero-bias barrier height (Fb0) and ideality factor n determined from forward bias I-V characteristics were found strongly dependent on temperature. We calculated parameters of the diode, by using Termoionic Emission Theory (TE), we have seen that the results are in accordiance with the theory. According to these results ideality factor n decrease and barrier height (Fb0) increase with an increase in temperature.
Özet
Ag/TiO2/n-InP/Au Schottky bariyerli diyotların akım-voltaj karakteristikleri 300-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Metal ile yarıiletken arasına 120 Å kalınlığında TiO2 film tabakası oluşturuldu. Diyotun ileri beslem akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden termiyonik emisyon modeline göre, sıfır beslem bariyer yüksekliği ve idealite faktörü parametreleri hesaplandı. Parametrelerin sıcaklığa bağlı olarak değiştiği ve sıcaklık artarken bariyer yüksekliğinin arttığı ve idealite faktörünün azaldığı görüldü.