The relation of ideality factor between the surface states and temperature in metal-semiconductor structures

Metal-yarıiletken yapılarda idealite faktörünün yüzey durumu ve sıcaklıkla ilişkisi

Abstract

In this work, the measurements of current-voltage and capacitance-voltage for Al-pSi structures made by pSi semiconductor crystal, cleaned with chemicals, are carried out at different temperatures. After analysing the data, the ideality factor, barrier height and other relative parameters have been calculated. It's found that barrier height is some what grater than expected value. It's due to the naturel oxidation layer between metal and semiconductor surface. It's also found that the barrier height calculated by capacitance-voltage characteristics is some what grater than that of the value calculated that ideality factor depends on temperature changes.

Özet

Bu çalışmada , kimyasal olarak temizlenen pSi yarıiletken kristaller ile Al-pSi yapılar oluşturularak bunların akım-gerilim ve sığa-gerilim ölçümleri farklı sıcaklıklar için yapıldı. Veriler değerlendirilerek idealite faktörü, engel yüksekliği ve diğer bazı parametreler hesaplandı. Engel yükseklikleri beklenenden bir miktar büyük bulundu. Bu metal ile yarıiletken arayüzeyinde oluşan doğal oksit tabakasından kaynaklanmaktadır. Sığa-gerilim karakteristiklerinden belirlenen engel yüksekliği, akım-gerilim karakteristiklerinden belirlenenden daha büyük bulundu. Idealite faktörünün, ölçüm yapılan sıcaklık aralığında sıcaklığa bağımlılık gösterdiği belirlendi.