ANALYSIS OF THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF PHOTODIODES PRODUCED BY DOPPİNG VARIOUS METAL OXIDES

ÇEŞİTLİ METAL OKSİTLERE KATKILAMA YAPILARAK ÜRETİLMİŞ FOTODİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ: BİR ARAŞTIRMA

Abstract

In this study, the studies made in the last 10 years about the devices produced by using different metal oxide nano powders were discussed extensively. The effects of the dopping on the electrical properties of photodiodes and photodetectors were investigated. The I-V characteristics of the devices performed under different light intensities were analyzed. In addition, the comparison of electronic parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb), series resistance (Rs) and interface state density (Dit) of the thin films produced was investigated. The effect of these parameters on devices is emphasized. In addition, it was investigated to what extent the optoelectronic properties of devices are compatible with the current literature.

Özet

Bu çalışmada farklı metal oksit nano tozlar kullanılarak üretilmiş fotodiyotlar ile ilgili son 10 yılda yapılan çalışmalar kapsamlı olarak ele alındı. Katkılamanın, fotodiyot ve fotodedektörlerin elektriksel özelliklerini ne ölçüde etkilediği araştırıldı. Devre elemanlarının farklı ışık yoğunlukları altında gerçekleştirilen I-V karakteristikleri birbirileri ile mukayese edildi. İnce filmlerin idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (Фb), seri direnç (Rs) ve ara yüz durum yoğunluğu (Dit) gibi elektronik parametreleri karşılaştırıldı. Bu parametrelerin fotosensörler üzerindeki etkisi vurgulandı. Ayrıca devre elemanlarının optoelektronik özelliklerinin mevcut literatürle ne derece uyumlu olduğu araştırıldı.