Journals / International journal of advances in engineering and pure sciences (Online) / 2021 / Cilt: 33 - Sayı: 1
Investigation of Electronic Properties of SbSeI Under High Pressure byFirst Principles Calculations
- Pages
- 64–72
- DOI
- —
Abstract
The structural parameters, electronic structure, and charge density distribution of SbSeI compound under hydrostatic pressure of 0-200 kBar were investigated for the first time. Quantum Espresso software (QE) was used for all calculations. Electronic band calculations have shown that SbSeI has direct / indirect forbidden band gap in the 0-200 kBar pressure range.
Özet
SbSeI’nın yapısal parametreleri, elektronik yapısı ve yük yoğunluğu dağılımı 0-200 kBar hidro statik basınç altında ilk kezaraştırılmıştır. Tüm hesaplamalarda Quantum Espresso (QE) yazılımı kullanılmıştır. Elektronik bant hesaplamaları 0-200 kBarbasınç aralığında SbSeI’nın direkt/dolaylı yasak enerji bant aralığının olduğunu göstermiştir.