The Electrical Properties of Fabricated Pentacene Based Phototransistor with Polystyrene Gate Insulator

Abstract

In this study, the fabrication of top contact pentacene based phototransistor having polystyrene gate dielectric hasbeen carried out. To analyze the surface morphology of polystyrene insulator and pentacene active layer, scanningelectron microscopy (SEM) has been used. The electrical characterization of pentacene based phototransistor andalso the effect of illumination on the output characteristics have been investigated. The obtained mobility valueand on/off ratio of the transistor are 5×10-3cm2/Vs and ~102, respectively. The increase of the drain current withincreasing illumination intensity indicates that the light acts as an additional terminal. Also, this fabricated devicebehaves as a phototransistor because of its reaction to the illumination.

Özet

Bu çalışmada, polistren kapı dielektrikli üst kontak pentasen tabanlı fototransistör imalatı yapılmıştır. Polistren yalıtkanının ve pentasen aktif tabakanın yüzey morfolojisini analiz etmek için, taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılmıştır. Pentasen bazlı fototransistörlerin elektriksel karakterizasyonu ve aydınlatmanın çıkış karakteristikleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Transistörden elde edilen mobilite değeri ve on/off oranı sırasıyla 5×10-3 cm2 /V ve ~ 102 'dir. Akaç akımının artan aydınlatma yoğunluğuyla birlikte artması, ışığın ek bir terminal olarak görev yaptığını gösterir. Ayrıca, imal edilmiş bu transistör, aydınlatmaya tepki vermesi nedeniyle bir fototransistör olarak görev görür.