Journals / Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi / 2021 / Cilt: 0 - Sayı: 25

An Experimental Study of the Effects of Ceramic Composition on theElectrical and Thermal Properties of Al/SiC Composites

Al/SiC Kompozit Malzemelerde Seramik Bileşenin Hacimsel Oranının Elektriksel ve Isıl Özellikler Üzerindeki Etkilerinin Deneysel İncelemesi

Pages
721–726
DOI
—

Abstract

Al/SiC metal-matrix composites were investigated through Differential Thermal Analysis device as a function of volume fraction ofSiC particles and sample temperature ranging 273 K to 373 K. It was found that electrical resistivity increased with increasing sampletemperature and volume fraction of SiC. In contrast to electrical resistivity, electrical conductivity decreased with increasing sampletemperature and volume fraction of SiC. Electrical conductivity decreased from 1,8x107 1/ohm.m to 2x106 1/ohm.m as the volumefraction of SiC increased to 60%. On the other hand, thermal conductivity decreased with increasing volume fraction of SiC particles,while being almost insensitive to temperature change between 273 K to 373 K. Thermal conductivity decreased from 120 W/mK to 10W/mK as the volume fraction of SiC increased to 60%.

Özet

Bu çalışmada Al/SiC metal matris kompozit malzemelerde, seramik bileşenin hacimsel değişiminin elektriksel ve ısıl iletkenliküzerindeki etkileri 273K- 373K sıcaklık aralığında, deneysel olarak ile incelenmiştir. Test sonuçlarında, sıcaklığın ve seramikbileşenin hacimsel oranının artmasıyla elektriksel direncin arttığı ve elektriksel iletkenliğin azaldığı görülmüştür. Seramik bileşeninyapı içerisindeki hacimsel oranı %60’a artması ile elektriksel iletkenlik 1,8x107 1/ohm.m değerinden 2x106 1/ohm.m değerinedüşmüştür. Ayrıca metal matris kompozit malzemelerde seramik bileşenin artması ile termal iletkenliği azalmış olup 273 ila 373Karasındaki sıcaklık değişiminin ısıl iletkenlik üzerinde önemli bir etkisi olmamıştır. Seramik bileşenin hacimsel oranının %60’açıkması ile ısıl iletkenlik 120 W/mK değerinden 10 W/mK değerine düşmüştür.