Characterization of GaAs/GaAlAs Heterostructures Grown on GaAs Substrate using High Resolution X-ray Diffraction Method

GaAs Alttaş Üzerine Büyütülen GaAs/GaAlAs Heteroyapılarının Yüksek Çözünürlüklü X- Işını Kırınım Yöntemi Kullanılarak Karakterizasyonu

Abstract

Characterization of nanostructures using X-ray diffraction (XRD) method gives information on thecomposition, the lattice strain, and heteroepitaxial layers of the structures. These information areuseful for fabrication process of optoelectronic devices. In this paper, we give fundamental descriptionto the commonly used material, GaAlAs. In addition, the importance of X ray diffraction method forcharacterization of the materials provides crucial information for the growth and development processof the materials. Structural characterization of epitaxial growth GaAs/GaAlAs heterostructures areanalyzed using the X- ray diffraction (XRD) method. Rigaku Global Fit simulation program is performedto compare the experimental results, and the simulation and the experimental results agree with eachother.

Özet

Nano yapıların X- ışını kırınımı (XRD) yöntemi kullanılarak karakterizasyonu, bu yapıların bileşimi, örgü zorlanması ve heteroepitaksiyel katmanları hakkında bilgi verir. Bu bilgiler optoelektronik cihazların üretiminde önemli rol oynamaktadır. Bu makalede, yaygın olarak kullanılan GaAlAs malzemesi hakkında genel bilgilerden bahsedilmektedir. Ek olarak, X- ışını kırınım yönteminin malzemelerin karakterizasyonu için önemi, malzemelerin büyütme ve yapının oluşum süreci hakkında önemli bilgiler sağlamasıdır. Epitaksiyel olarak büyütülmüş GaAs/GaAlAs heteroyapılarının yapısal karakterizasyonu X- ışını kırınım yöntemi kullanılarak analiz edilmiştir. Deneysel sonuçları karşılaştırmak için Rigaku Global Fit simülasyon programı kullanıldı, simülasyon ile deneysel sonuçların yüksek oranda uyumlu olduğu görüldü.