Journals / International Journal of Advances in Engineering and Pure Sciences / 2016 / Cilt: 28 - Sayı: 3
The hydrostatic pressure effects in the asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum well
- Pages
- 112–117
- DOI
- —
Abstract
In this work, we studied the effects of barrier height ratioVL/VR on simetric AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs and asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum wells under the presence of hydrostatic pressure by using variational method within the effective mass approximation.We calculated ground state impurity energies and impurity energy turning points as functions of the impurity position. We observedthat the ground state impurity energies and impurity energy turning points depends strongly on hydrostatic pressure, different barrierheights and impurity positions.
Özet
Bu çalışmada sıcaklık ve hidrostatik basınç etkisi altında simetrik AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs ve antisimetrik AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs kuantum kuyularında engel yükseklik oranlarının etkileri, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel yöntem kullanılarak çalışıldı.Taban durum yabancı atom enerjileri, yabancı atom enerjisisnin dönüm noktaları ve taban durum normalize edilmiş bağlanma enerjilerihesaplandı. Sıcaklık, hidrostatik basınç, farklı engel yükseklikleri ve yabancı atom konumunun, taban durum yabancı atom enerjisini veyabancı atom enerjisinin dönüm noktalarını önemli ölçüde değiştirdiği gösterildi.