SavedAdd your journal

Journals / Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2018 / Cilt: 21 - Sayı: 3

Bor ve Flor Katkılanmış ZnO İnce Filmlerinde K tabakası Flüoresans Verimlerinin XRF Tekniği ile Ölçülmesi

Ömer SÖĞÜT
Gökhan APAYDIN
Erhan CENGİZ
Süleyman KERLİ
Pages
209–216
Publication Date
2018-10-23
DOI
—
🏛️Bibliographic metadata and full text access for this article are provided via DergiPark.
DergiPark Record ↗
✨

AI Summary & Key Takeaways

AI Insight
⚡ TL;DR(Too Long; Didn't Read)

Bunlara ek olarak, elementler kimyasal bileşiklerde yer alırlarsa, yayınladıkları X-ışını çizgisinin dalga boyunda, çizgi şiddetinde ve şeklinde değişimler görülür.

📌 3 Key Takeaways

🎯
Objective & Hypothesis:Bu çalışmada, kimyasal püskürtme yöntemi ile %1-5 oranında flor katkılanılarak ve %2-5 oranında bor katkılanılarak üretilen, ZnO (çinko oksit) ince filmlerde çinkonun K tabakası flüoresans verimlerinin (wK) bor ve flor katkı miktarlarına göre değişimi, X-ışını Flüoresans (XRF) tekniği ile incelendi.
📊
Key Findings & Data:Numuneleri uyarmak için 50 mCi şiddetinde ve 59.543 keV enerjili fotonlar yayınlayan bir 241Am radyoizotop kaynağı kullanıldı.
💡
Conclusion & Impact:Bunlara ek olarak, elementler kimyasal bileşiklerde yer alırlarsa, yayınladıkları X-ışını çizgisinin dalga boyunda, çizgi şiddetinde ve şeklinde değişimler görülür.
🔬Design:Experimental Field Trial
📍Scope:Comprehensive Sample
⚙️Variables:ZnO · Bor · Flor

Özet

Bu çalışmada, kimyasal püskürtme yöntemi ile %1-5 oranında flor katkılanılarak ve %2-5 oranında bor katkılanılarak üretilen, ZnO (çinko oksit) ince filmlerde çinkonun K tabakası flüoresans verimlerinin (wK) bor ve flor katkı miktarlarına göre değişimi, X-ışını Flüoresans (XRF) tekniği ile incelendi. Numuneleri uyarmak için 50 mCi şiddetinde ve 59.543 keV enerjili fotonlar yayınlayan bir 241Am radyoizotop kaynağı kullanıldı. Numunelerden yayınlanan karakteristik K X-ışınlarını saymak için 5.96 keV’de yarı maksimumdaki tam genişliği (FWHM) 150 eV, aktif alanı 30 mm2 ve kalınlığı 5mm, polimer pencere kalınlığı 0.4μm olan Ultra-LEGe dedektörü kullanıldı. Flor katkılanarak üretilen ZnO ince filmlerinde florun katkı miktarı artarken K kabuğu flüoresans verim değerleri azalmıştır. Ancak, bor ekleyerek üretilen ZnO ince filmlerde, bor katkısı artarken K kabuğu flüoresans verim değerleri de artmıştır. Bunun nedeni ZnO ince filmine bor ve flor ilavesinin ZnO yapısında perdeleme etkisi, bağ uzunluğu, kafes simetrisi gibi bazı etkileşimleri değiştirmesi olabilir. Bu değişimde K X-ışını yayınlama ihtimalini değiştirir. K tabakası flüoresans verimlerinin flor ve bor katkı miktarlarına göre değişimlerinin nedenlerinden biri de, katkılanan flor ve borun ZnO ince filmindeki oksijen iyonları ile yer değiştirmesi olabilir. Bunlara ek olarak, elementler kimyasal bileşiklerde yer alırlarsa, yayınladıkları X-ışını çizgisinin dalga boyunda, çizgi şiddetinde ve şeklinde değişimler görülür.

🔖

Cite This Article

SÖĞÜT, Ö., APAYDIN, G., CENGİZ, E., KERLİ, S. (2018). Bor ve Flor Katkılanmış ZnO İnce Filmlerinde K tabakası Flüoresans Verimlerinin XRF Tekniği ile Ölçülmesi. Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi, Cilt: 21 - Sayı: 3, 209–216. https://ajindex.com/articles/876549

📄 Full Text PDF Viewer

📄

PDF görüntüleyici hazırlanıyor...

References (12)

  1. Baydaş E., Oz Orhan E., and Büyükyıldız M., 2009. Measurements of K-shell fluorescence yields for Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni and Cu elements and their halogen compounds, Turk Journal of Phys 33, 311-316.
  2. Bambynek W., Crasemann B., Fink R.W., Freund H.U., Mark H., Swift C.D., Price R.E., Rao P.V., 1972.
  3. X-Ray fluorescence Yield, Auger and Coster-Kronig Transition Probabilities, Rev. Mod. Phys. 44(4), 716-813.
  4. Bakoglidis K.D., Schmidt S., Garbrecht, M. Ivanov I.G., Jensen J., Greczynski G., Hultman L., 2015. Low‐Temperature Growth of Low Friction Wear‐Resistant Amorphous Carbon Nitride Thin Films by Mid‐Frequency, High Power Impulse, and Direct Current Magnetron Sputering. J. Vac. Sci. Technol. A. 33(5): 05E112. DOI: 10.1116/1.4923275. Broll N., 1986. Quantitative X-ray Fluorescence Analysis. Theory and Practice of Fundamental Coefficients Method, X-ray Spectrometry 15, 271-285.Cho S.H., Cho C. K., Hwang W.J., Eun K.T., Kim H K., 2011. Mechanical integrity of flexible InZnO/Ag/InZnO multilayer electrodes grown by continuous roll-to-roll sputtering, Solar Energy Materials and Solar Cells 95(12), 3442-3449.
  5. Chen W., Zhu L., Li Y., Hu L., Guo Y., Xu H., Ye Z., 2013. Origin of highly stable conductivity of H plasma exposed ZnO films, Phys. Chem. Chem. Phys. 15 (41), 17763-17766.
  6. Dhara S., Giri P.K., 2012. Stable p-type conductivity and enhanced photoconductivity from nitrogen-doped annealed ZnO thin film, Thin Solid Films 520 (15), 5000-5006.
  7. Fahrenbruch, A.L., 1997, II-VI Compounds in solar energy conversion, Journal of Crystal Growth 39, p.73-91.
  8. Natsume Y., Sakata H., 2000. Zinc oxide films prepared by sol-gel spin coating, Thin Solid Films, 372, p.30-36.
  9. Fink R.W., Jopson R.C., Mark H. and Swift D.C., 1966.
  10. Atomic Fluorescence Yields, Rev. Mod. Phys. 38, 513-540.Gallop J., Hao L., 2016. Nanoscale Superconducting Quantum Interference Devices Add Another Dimension. ACS Nano.10(9): 8128–8132. DOI: 10.1021/acsnano.6b04844. Garg M.L., Mehta D., Kumar S., Mangal P.C. and Trehan P. N., 1985. Energy Dependence of Photon- Induced: Kα and K, X-Ray Fluorescence Cross Sections for some Elements with 20 Hubbell J.H., Trehan, P.N., Singh N., Chand B., Mehta D., Garg M. L., Garg R.R., Singh S. and Puri S., 1994.
  11. A Review, Bibliography, and Tabulation of K, L, and Higher Atomic Shell X‐Ray Fluorescence Yields, J. Phys. Chem. Ref. Data 23, 339-364.
  12. Ip K., Overberg M.E., Heo Y.W., Norton D.P., Pearton S.J., Stutz C.E., Luo B., Ren F., Look D.C., Zavada J.M., 2003. Hydrogen Incorpo