AI Summary & Key Takeaways
AI InsightThe formed SiO 2 interlayer thickness was determined to be dependent on the sputtering kinetics i.e.
📌 3 Key Takeaways
Abstract
SnO 2 thin films having tetragonal structure were grown on (100) oriented n-type Si and corning glass substrates at room temperature with RF magnetron sputtering technique. The atomic distribution and interfacial evaluation of the deposited structures were evaluated with the depth profile spectra obtained by the Secondary Ion Mass Spectrometer. It was seen that the atomic distribution of Sn and O showed a uniform distribution throughout the film depth. However, it was precisely determined by SIMS technique that an ultra-thin SiO 2 layer was formed between the SnO 2 film, which was deposited on Si, and Si substrate. The formed SiO 2 interlayer thickness was determined to be dependent on the sputtering kinetics i.e. RF deposition power.
Özet
Tetragonal yapıdaki SnO 2 ince filmleri (100) yönelimli n-tipi Si ve korning cam alttaşlar üzerine oda sıcaklığında RF magnetron püskürtme tekniği ile büyütüldü. Büyütülen yapıların atomik dağılımı ve arayüzey durumları, İkincil İyon Kütle Spektrometresi analizlerinden elde edilen derinlik profili spektrumları ile değerlendirildi. Film derinliği boyunca Sn ve O atomik dağılımının homojen dağılım sergilediği görüldü. Bununla birlikte, Si alttaş üzerine büyütülen SnO 2 filmi ile Si alttaş arasında çok ince bir SiO 2 tabakasının oluştuğu, hassas bir şekilde SIMS tekniği ile belirlendi. Oluşan SiO 2 ara-tabaka kalınlığının, püskürtme kinetiğine -RF büyütme gücüne- bağlı olduğu belirlendi.