AI Summary & Key Takeaways
AI InsightIn addition, it was seen that pyrolysis method is a method preventing oxidation of the other layers by CdS which is produced as tampon layer in the semiconductor devices during this process resulting from high temperature.
📌 3 Key Takeaways
Abstract
In this study, cadmium sulfide (CdS) n-type semiconductor material was produced on glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis system (USP). During the deposition process of the films, production was realized by gradually increasing the substrate temperature between 100 - 350 °C. After production, a group of samples from CdS thin films were annealed in atmosphere ambiance at 380 °C. To define the crystal structure, surface morphology, elemental composition, and electro-optical properties of as deposited and annealed CdS films; grazing incidence X-Ray diffraction (GIXRD), scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), energy dispersive spectrometer (EDS), and Uv-Vis spectrometer systems were used, respectively. It was seen that the results obtained from the characterization systems supported each other and these results were consistent with the literature. In addition, it was seen that pyrolysis method is a method preventing oxidation of the other layers by CdS which is produced as tampon layer in the semiconductor devices during this process resulting from high temperature.
Özet
Yapılan çalışmada, kadmiyum sülfür (CdS) n-tipi yarı iletken malzemesi ultrasonik sprey piroliz (USP) sistemi ile cam alttaşlar üzerine üretilmiştir. Filmlerin kaplama işlemi sırasında alttaş sıcaklığı 100 – 350 °C arasında kademeli olarak arttırılarak üretim gerçekleştirilmiştir. Üretim sonrasında, CdS ince filmlerden bir grup numune atmosferde 380 °C sıcaklıkta tavlanmıştır. Üretilen ve tavlanan CdS ince filmlerin; kristal yapılar geliş açısına bağlı olarak Grazing Incidence X-Ray Diffraction X ışını kırınımı (GIXRD) yöntemi, yüzey yapıları ve morfolojileri taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) sistemleri, yapıda bulunan elementlerin oranları enerji dağılımlı spektrometre (EDS) sistemi ve optik özellikleri ultra-viyole görünür bölge spektrometresi (Uv-Vis) ölçümleri ile belirlenmiştir. Bu ölçüm sonuçlarına göre; CdS ince filmlerin zamanla değişen alttaş sıcaklığında üretilebileceği, film yüzeylerinin oldukça homojen şekilde oluştuğu, her bir ölçüm yöntemi ile elde edilen sonuçların birbirini desteklediği ve bu sonuçların literatürle de uyumlu oldukları görülmüştür. Yarıiletken aygıtlarda tampon katmanı olarak kullanılan CdS üretilirken piroliz işlemi sırasında uygulanan yüksek sıcaklıktan kaynaklanan diğer katmanların oksitlenmesini önleyecek bir üretim stratejisi olduğu da görülmüştür.