Dergiler / Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi / 1997 / Cilt: 3 Sayı: 3
ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
- Sayfa
- 399–403
- Yayın Tarihi
- 1997-03-01
- DOI
- —
Özet
Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde, darbe şeklinde çıkış işareti almak normal koşullarda mümkün değildir. Bunun sebebi, çıkış işaret genliğinin besleme gerilimini aşamamasıdır. Bu çalışmada ortaya atılan ve hem deneysel hem de simülasyon yoluyla gerçekleştirilen yöntemle, besleme gerilimi transistörlerin dayanma geriliminin üstüne çıkarılarak istenilen genlikte çıkış işareti alınabilmektedir.
Abstract
The electrical parameters of the transistor must be taken into account in the designing of electronic circuit. One parameter, VCBO, is one of the most important parameter for the designer. Using transistor which has the breakdown voltage of 50 V, it is not possible to obtain 80 V pulse output since the output voltage can not exceed the supply voltage. In this work, a new method is presented to obtain output voltage bigger than supply voltage by using more than one transistor.