Dergiler / Politeknik Dergisi / 2014 / Cilt: 17 Sayı: 4

Çift Gaz Boşalma Aralıklı Plazma Hücresinde GaAs Yarıiletken Yüzeyindeki Oksitlenmenin Sistem Karakteristiklerine Etkisi

The Effect of The Oxidation on GaAs Semiconductor Surface to the System Characteristics in A DoubleGapped Plasma Cell

Hilal Yücel KURT, Gülcan KALKAN, Metin ÖZER, Evrim TANRIVERDİ, Duygu YİĞİT

Sayfa
161–165
DOI
—

Özet

GaAs yarıiletken katotlu çift gaz boşalma aralıklı plazma hücresinde sistem karakteristiklerinin oksitlenme nedeniyle kararsızlık sergilediği deneysel olarak elde edilmiştir. Sistem karakteristikleri geniş bir gaz basıncı (p = 28 – 342 Torr), elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 – 320 µm) ve D = 9 mm lik yarıiletken katot çapı için deneysel olarak araştırıldı. U = 200-2000 Volt besleme gerilimi altında, Paschen eğrisinden kritik voltaj değerleri belirlendi.

Abstract

The system characteristic in a double gap gas discharge plasma cell with GaAs cathode has been identified to be unstable due to the oxidation, experimentally. The experimental studies include the system characteristics in a wide range of pressures (p = 28 – 342 Torr), interelectrode distances (d1 = 50 µm d2 = 50 – 320 µm) and semiconductor cathode diameter D (9 mm). Under the applied voltage U=200-2000, the critical voltage values from the Paschen curves are determined

Anahtar kelimeler: Gaz boşalması, GaAs, plazma, oksitlenme, çift aralık