Излучательная Аннигилляция Электронных Возбуждений В Кристаллах RbI

Abstract

Проведены исследования низкотемпературной люминесценции различных по происхождению кристаллов RbI. Рекомбинационное создание экситонов при 4,2 К приводит к их излучательному распаду с появлением полос собственных свечений 3,92 и 2,26 эВ, имеющих σ- и π- природу. Создание высокоподвижных свободных экситонов в RbI недостаточно высокой чистоты приводит к появлению характерных полос излучения 3,86 и 3,15 эВ, имеющих примесный характер.