PVA Kapı dielektrik tabanlı organik ince film transistörlerin performansı üzerindeki solvent etkileri

Solvent effects on the performance of the PVA gate dielectric based organic thin film transistors

Özet

Bu çalışmada, üst kapı alt kontak transistörü hazırladık ve karakterize ettik. Aktif tabaka olarak poli [2- metoksi-5- (2-etilheksiloksi) -1,4-fenilenevinilen] (MEH: PPV) kapı dielektrik malzemesi olarak Polivinil alkol (PVA) kullanılmıştır. Cihazların transistör parametreleri üzerinde çözücü etkisini araştırılmıştır. PVA için çözücü olarak dimetil sülfoksit (DMSO) ve ultra saf su kullanılmıştır. DMSO'nun mobilite, açma / kapama oranı ve Vth değerleri gibi transistör parametrelerini olumlu etkilediği açık bir şekilde görülmüştür. Ultra saf su ve DMSO içinde çözünmüş PVA kullanılarak imal edilen OFET'lerin out-put ve transfer özellikleri incelenmiştir. OFET'in hareketliliği, DMSO'nun PVA çözücüsü olarak kullanıldığında artmıştır. Delik hareketliliği PVA: su bazlı cihazdan 3.07x10-5 cm2 V-1 s-1 ve PVA:DMSO tabanlı cihazdan 2.17x10-4 cm2 V-1 s-1 olarak bulunmuştur.

Abstract

In this study, we prepared top-gate bottom-contact transistor and characterized. Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] (MEH:PPV) was used as active layer and Polyvinyl alcohol (PVA)as used gate dielectric material. We investigated solvent effect on the transistor parameters of the devices.Dimethyl sulfoxide (DMSO) and ultra-pure water were used as solvent for PVA. Effect of DMSO ontransistor parameters was investigated and clearly seen that DMSO have positively influence transistorparameters such as mobility, on/off ratio and Vth values. Output and transfer properties of OFET’s that hasbeen fabricated by using PVA dissolved in ultra-pure water and DMSO were analayzed. Mobility of theOFET increased when DMSO used as solvent of PVA. Hole mobility’s are found as 3.07x10-5 cm2 V−1 s−1from PVA:water based device and 2.17x10-4 cm2 V−1 s−1 from PVA:DMSO based device.