Dergiler / Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi / 2005 / Cilt: 18 - Sayı: 3
Thermoelectric characterization of N-type (Bi2Te3)Se3 semiconductors in a temperature range 11-373 K
- Sayfa
- 481–487
- DOI
- —
Özet
İki adet n-tipi (Bi2Te3)Se3 yarıiletkeni Bi2Te3 ve Bi2Se3 bileşimlerinden, bölge eritme ve presleme yöntemi ile büyütüldü. Bu yarıiletken numunelerin termoelektrik özellikleri; elektriksel iletkenlik ve Seebeck kat sayısı 11-373 K sıcaklık aralığında Harman tekniği kullanılarak ölçüldü. Oda sıcaklığında, Z parametresi bölge eritme yöntemi ile büyütülen numune için 4.1x1O^{-3}$ K"1 presleme yöntemi ile büyütülen yarıiletken numune için 2,4x10"3 K"1 olarak hesaplandı.
Abstract
The two n-type (Bi2Te3)Se3 semiconductor samples were grown from Bi2Te3 and Bi2Se3 components using traveling heater and pulverized methods. Thermoelectric properties such as electrical conductivity and Seebeck coefficient have been measured in a temperature range 11-373 K using Harman technique. At the room temperature, the Z parameter has been calculated as 4.1xlO~3 K"1 and 2.4xlO~3 K"1 for the samples grown by the traveling heater methods, respectively.