Atomik Sensörlerde Güç Genişleme Etkisi İle Yüksek Seviyeli Mikrodalga Alan Şiddeti Ölçümü

High Level Microwave Field Strength Measurement At The Atomic Sensors With Power Broadening Effect

Özet

Bu çalışmada yüksek seviyeli mikrodalga alanların algılanması amacıyla lazer-atom-mikrodalga etkileşimine dayanan bir Cs atomik sensör sistemi önerilmiştir. Çalışma kapsamında lazer ışınının frekansı, Cs atomik sensörünün D2 enerji geçişinde bulunan 6S1/2 (F=4) ↔ 6P3/2 (F=4) enerji geçişine kilitlenmiştir. 6S1/2 (F=3) ↔ 6S1/2 (F=4) enerji geçişine denk gelen 9,192 GHz frekansında yüksek seviyeli mikrodalga alan uygulanarak DROR (çift radyo optik rezonans) elde edilmiştir. Bu rezonansın DC manyetik alan altında Zeeman alt seviyeleri gözlenmiş ve bunlardan 6S1/2 (F=3, mf=0) ↔ 6S1/2 (F=4, mf=0) π-geçişine odaklanılmıştır. Atomik sensörün farklı lazer güçlerinde ve 500 V/m ile 7.5 kV/m arasında değişen yüksek seviyeli mikrodalga alan şiddetlerinde ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Uygulanan yüksek seviyeli mikrodalga alan şiddetlerinde, 6S1/2 (F=3, mf=0) ↔ 6S1/2 (F=4, mf=0) π-geçişinin bant genişliği ve genlik ölçümlerinin değişimi araştırılmıştır. Bunun sonuncunda yüksek seviyeli mikrodalga alanların algılanmasında kullanılacak olan DROR rezonansının Zeeman geçişi için bant genişliği ölçümlerinin genlik ölçümlerine göre üstünlükleri tartışılmıştır.

Abstract

In this study, a Cs atomic sensor system is proposed to detect high-level microwave field based on laser-atom-microwave interaction. Within the scope of the study, the frequency of the laser is locked to the 6S1/2 (F=4) ↔ 6P3/2 (F=4) energy transition on the D2 line of Cs atomic transition. The DROR (double radio optical resonance) resonance was obtained by applying a high level microwave field at the frequency of 9,192 GHz corresponding to 6S1/2 (F=3) ↔ 6S1/2 (F=4) energy transition. Zeeman sub-levels of DROR resonance were observed under the DC magnetic field and resonance on the 6S1/2 (F=3, mf=0) ↔ 6S1/2 (F=4, mf= 0) π-transition were investigated. Measurements of the atomic sensor were performed at various laser powers and at high levels of microwave field strengths ranging from 500 V / m to 7.5 kV/m. The dependence of the bandwidth and amplitude of the Zeeman resonance at 6S1/2 (F=3, mf=0) ↔ 6S1/2 (F=4, mf=0) π-transition were investigated as a function of applied high-level microwave field strength. As a result of this, the superiority of bandwidth measurements to the amplitude measurements were discussed for the Zeeman transition of the DROR which will be used in the sensing of high level microwave fields.