Au/n-Si Schottky Diyotlarında Termal Tavlama ve Numune Sıcaklığının Akım-Gerilim Karakteristiklerine Etkileri

Özet

Günümüz elektronik teknolojisinde ve elektronik sanayinde çok fazla kullanılan Schottky kontaklar geniş bir uygulama alanına ve önemli bir yere sahiptir. Bu sebeple bu yapılar oldukça önemlidir ve birçok araştırmanın konusu olmuştur. Diyodun tavlama ve numune sıcaklığıyla karakteristik parametrelerinin değişip değişmediği görmek için diyotların tavlamaya ve numune sıcaklığına bağlı akım-gerilim karakteristikleri incelendi. Yapılan hesaplamalar sonucunda tavlanmamış diyot için oda sıcaklığında idealite faktörü ve engel yüksekliği I-V ölçümlerinden sırasıyla 1,24 ve 0,77 eV elde edildi. Yine 2000C tavlanmış diyot için oda sıcaklığında idealite faktörü ve engel yüksekliği sırasıyla 1,08 ve 0,76 eV olarak hesaplanmıştır. Buna göre tavlama neticesinde diyot tavlama sıcaklığına bağlı olarak daha kararlı hale geldiği söylenebilir. Bu durum, metal yarıiletken ara yüzeyindeki istenmeyen fazların tavlama sıcaklığına bağlı olarak azaldığının bir kanıtıdır. Au/n-Si/Al Schottky diyotların tavlanmadan önce ve 2000C'de tavlandıktan sonra seri direnç ve engel yüksekliği değerleri Norde Fonksiyonları kullanılarak tüm sıcaklıklar için hesaplandı.

Abstract

Schottky contacts that have been used at electronic technology and electronics industry are very important and has a large application field. Because of this, these devices are extremely important and they are popular for many research areas. Current-voltage characteristics that depend on annealing temperature and the sample temperature parameters of the diode were investigated. Ideality factor and barrier height at 1.24 and 0.77 eV respectively were obtained from I-V measurements for as-deposited sample at room temperature. Likewise, the calculations from I-V measurements for 2000C annealed sample were obtained ideality factor and barrier height at 1.08 and 0.76 eV at room temperature respectively. As a result of this, annealing diode will become more stable. This result confirms that unwanted phases decrease depend on annealing temperature. Using Norde Function, series resistance and barrier height values were calculated for as-deposited and annealed Au/n-Si/Al Schottky diodes at 2000C.