Dergiler / Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2017 / Cilt: 6 - Sayı: 2
İNDİRGENMİŞ GRAFEN OKSİT ARAYÜZEY TABAKALI METAL OKSİT YARIİLETKEN KAPASİTÖRÜN DİELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ
- Sayfa
- 387–393
- DOI
- —
Özet
Bu çalışmada, İndirgenmiş Grafen Oksit (RGO) arayüzey oksit tabakalı Au/RGO/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörün dielektrik özelliklerinin frekans bağımlılığı 200, 300, 500 ve 700 kHz frekanslarda deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri alınarak incelendi. Ayrıca MOS kapasitörün dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε"), dielektrik kayıp açısı (tanδ), ac elektrik iletkenlik (σac), reel ve imajiner elektrik modülü (Μ' ve Μ") değerleri 10 kHz-1 MHz frekans aralığında belirlendi. Elde edilen sonuçlar dielektrik parametrelerin frekansa bağımlı olduğunu açık bir şekilde göstermektedir. ε' ve ε'' artan frekansla azalmaktadır. σac, Μ' ve Μ" değerleri ise artan frekans ile artmaktadır.
Abstract
In this study, the frequency dependence of the dielectric properties of Au/RGO/p-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor with silicon nitride (RGO) interfacial oxide layer have been investigated by taking experimental capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements at 200, 300, 500 and 700 kHz frequencies. Dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε"), dielectric loss tangent (tanδ), ac electrical conductivity (σac), real and imaginary part of electric modulus (Μ' and M") values of the MOS capacitor have been determined in the frequency range of 10 kHz-1 MHz. The obtained results clearly show that the dielectric parameters are frequency dependent. The values of the ε' and ε'' decrease with increasing frequency. But the values of the σac, Μ' and Μ" increase with increasing frequency.