Dergiler / Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi / 2018 / Cilt: 7 - Sayı: 2
N2 GAZ AKIŞ HIZININ, SPUTTER TEKNİĞİNDEN ELDE EDİLEN İNDİYUM-GALYUM-NİTRÜR ÜÇLÜ İNCE FİLMİNİN OPTİK, YAPISAL VE MORFOLOJİK ÖZELLİKLERİNE ETKİSİNİN İNCELENMESİ
- Sayfa
- 1013–1022
- DOI
- —
Özet
Bu araştırma çalışmasında, InGaN (İndiyum Galyum Nitrür) üçlü bileşiği, saçtırma tekniği kullanılarak farklı N2 gaz akış oranları altında büyütülmüştür. InGaN bileşiğinin yapısal, optik ve morfolojik özellikleri detaylı olarak incelenmiştir. XRD analizinde, filmler hegzagonal kristal yapı sergilemiştir. Filmler, görünür bölgede daha düşük dalga boylarında ortaya çıkmıştır ve soğurma değerleri, yaklaşık 550-560 nm'den itibaren keskin bir şekilde artmaya başlar ve Near-UV bölgesinde en yüksek soğurma değerine ulaşmıştır. Gaz akış hızı arttığında, filmin optik bant aralıkları artmıştır. SEM'de film, altlığın yüzeyi üzerindeki malzemenin boşluklar, iğne delikleri veya çatlaklar olmadan yoğun bir şekilde kaplanmasını göstermiştir. AFM sonuçlarında, yerel tepeler ve vadiler vardır ve kısmen homojen ve dairesel benzeri kümeler düzenlenmiştir. Filmler, cihaz uygulamalarında kullanım için uygun yapılardır.
Abstract
In this research work, InGaN (Indium Gallium Nitride) triple compound was grown under different N2 gas flow rates by using sputtering technique. The structural, optical and morphological characteristics of the InGaN compound have been studied in detail. In the XRD analysis, films exhibited hexagonal crystal structure. The films appear at lower wavelengths in visible region and absorption values begin to increase sharply from about 550-560 nm and reach the highest absorption value in the Near-UV region. When gas flow rates increased, the optical band gaps of the film increased. In SEM, the film exhibits dense coverage of the material on the surface of the substrate without the presence of voids, pinholes or cracks. In the results of the AFM, there are locally peaks and valleys, and partially homogeneous and circular-like clusters are arranged. Films are suitable structures for use in device applications.