Dergiler / Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi / 2006 / Cilt: 8 - Sayı: 1
1,3-Bis-(p-İminobenzoik Asit) İndan Langmuir-Blodgett (LB) Filmlerin Elektriksel Özellikleri
- Sayfa
- 46–53
- DOI
- —
Özet
1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan olarak bilinen organik molekül, katı yüzey üzerinde Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile ilk kez büyütüldü. Filmlerin katı yüzey üzerine transferlerinin gerçekleştiğini doğrulamak için büyütme sırasında kuartz kristal mikrobalans yöntemi, büyütme sonrasında da UV-görünür soğurma spektrumlarından yararlanıldı. Filmlerin elektriksel özellikleri, metal/LB-film/metal şeklinde üretilen yapılarda oda sıcaklığındaki I-V ölçülerek incelendi. I-V eğrilerinin Schottky mekanizmasına uyduğu kabul edilerek LB film/metal engel yüksekliği 1,0 eV olarak hesaplandı
Abstract
Organic material 1,3-bis-(p-iminobenzoi acid) indane was grown on glass substrates by Langmuir-Blodgett film (LB) technique for the first time. Quality of the transferred LB films was verified by measuring quartz crystal microbalance and UV-visible absorption spectra. Electrical properties of the different layered films were investigated by measuring room temperature I-V curves. By analyzing I-V curves and assuming Schottky conduction mechanism the barrier height was found to be as 1.0 eV