Journals / Pamukkale Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi / 1998 / Cilt: 4 Sayı: 2
APPLICATION OF INCREASED BREAKDOWN VOLTAGE SWITCH TO CLASS-E AMPLIFIER
- Pages
- 581–583
- Publication Date
- 1998-02-01
- DOI
- —
Abstract
Class-E amplifier consist of a switching device (BJT or FET) and a rezonant circuit. The power of amplifier depends on current and supply voltage of the transistor. The breakdown voltage of the transistor is increased to the maximum level in order to increase the power of the amplifier. Because of increasing the current increases the reverse induction, the reverse voltage creates a problem for the transistor. In this work, the increased breakdown voltage transistor Configuration is applied to class-E power amplifiers. Therefore, the reverse voltage problem is solved and supply voltage.
Özet
E sınıfı güç yükselteci, anahtar olarak çalışan bir transistör (ya da FET) ve rezonans devresinden oluşmaktadır.Bu yükselteçlerde güç, anahtar olarak çalışan transistörün akım kapasitesine ve çalışma gerilimine bağımlıdır. Transistörün dayanma gerilimi, fiziki yapısına bağlı olduğundan, yükseltecin gücünü arttırmak için transistörün dayanabileceği maksimum akım sınırına kadar çıkılmaktadır. Akımın arttırılışı ise, rezonans devresinden dolayı ters indüksiyonun artmasına neden olduğundan, transistörü zorlayan ters gerilim problem oluşturmaktadır. Bu çalışmada, dayanma gerilimi arttırılmış transistör bağlantısının E sınıfı güç yükselteçlerine uygulanması gerçekleştirilmiştir. Bu sayede, transistörü zorlayan ters gerilim problem olmaktan çıkarıldığı gibi, yükseltecin besleme gerilimi iki katına çıkarılarak yükselteç gücü ve verimi arttırılmıştır.