Photoluminescence study of metal film’s impact on silicon energetic structure

Silisium altlıq‐müxtəlif metal təbəqələr kontaktlari əsasında Şottki diodlarının struktur və optik xassələrinin öyrənilməsi ücün infraqırmızı (İQ) fotolüminessensiya tətbiq edilmişdir. Şottki diodunun xassələrinə, ayrılma sərhəddinin elektron strukturuna və yükdaşınma mexanizminə metal təbəqənin təsirini öyrənmək məqsədilə 773K temperaturunda 10 dəq. ərzində tavlanmış Şottki diodları tədqiq olunmuşdur. Bu məqsədlə silisium altlıq və müxtəlif metal‐yarımkeçirici kontaktların fotolüminessensiya spektrləri alınmış və  müqayisə edilmişdir. Fotolüminessensiya spektrləri silisium altlığın elektron strukturuna metal təbəqnin təsirini aşkar etmişdirlər.

Metal‐yarımkeçirici kontaktları ,

Qeyri‐bircinsliklər ,

Fotolüminessensiya ,

Для исследования структуры и оптических свойств диодов Шоттки на основе контактов кремниевая подложка‐различные металлические пленки был применен метод инфракрасной (ИК) фотолюминесцен‐ ции. Для изучения влияния металлической пленки на свойства, электронную структуру и механизмы токопереноса диодов Шоттки были исследованы диоды, подвергшиеся отжигу при температуре 773К в течение 10 минут. Были получены и сравнены спектры фотолюминесценции кремниевой подложки и контактов металл‐полупроводник с различными металлическими пленками. Полученные спектры выяви‐ ли влияние металлической пленки на электронную структуру кремния.

Контакты металл‐полупроводник ,

Неоднородности ,

Фотолюминесценция ,