эффект заполнения зон в кристаллах gase при высоких уровнях оптического возбуждения

Экспериментально исследовано нелинейное поглощение света в кристаллах GaSe в области фундамен‐ тального поглощения при высоких уровнях оптического возбуждения. Просветление края полосы погло‐ щения, с одновременным его сдвигом в высокоэнергетическую область спектра, может быть объяснено заполнением энергетических зон при высоких уровнях оптического возбуждения. Экспериментальное значение изменения коэффициента поглощения находится в хорошем согласии с теоретически вычис‐ ленными значениями. На основании соотношения Крамерса‐Кронига по изменению коэффициента пог‐ лощения определено изменение показателя преломления GaSe. Показано, что наблюдаемый эффект заполнения зон позволяет на основе кристаллов GaSe создать полупроводниковый лазер.

Поглощение ,

Фундаментальное Поглощение ,

Коэффициент Поглощения ,

The nonlinear light absorption in GaSe crystals at the fundamental absorption edge for high excitation intensities has been investigated experimentally. The bleaching of band‐edge absorption which manifests itself as an apparent blue shift of the absorption edge can be interpreted on the base of bandfilling nonlinearities. The obtained experimentally change in the absorption coefficient (Δα) is in good agreement which is calculated theoretically. In the base of Kramers‐Kronig relation the change in refractive index (Δn) is defined by (Δα). It is shown that the observed negative absorption change in GaSe crystal is the basis of optical amplification and the semiconductor laser.

Absorption ,

Band‐Edge Absorption ,

Absorption Coefficient ,