фрактальные исследования границы раздела кмп al‐ticu/n‐si

Исследованы ВАХ диодов Шоттки Al‐TiCu/n‐Si с поликристаллической металлической пленкой в тем пературном диапазоне (298‐458)К. Зависимости характеристик от температуры и напряжения объясненычетомполикристаллической структуры металлической пленки. Определена электрически активная площадь диодов, вычислена фрактальная размерность по аналогии с «ковром Серпинского».

диоды Шоттки ,

неоднородный барьер ,

фрактальная размерность ,

I‐V characteristics of Al‐TiCu/n‐Si Schottky diodes with polycrystalline metal film have been investigated in the temperature range (298‐458)K. Dependence of the characteristics on the temperature and voltage are explained in the light of polycrystalline structure of metal film. The electrically active area of diodes and the fractal dimension have been calculated by analogy with the Sierpinski carpet.

Schottky diodes ,

İnhomogeneous barrier ,

Fractal dimension ,